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中硅高科兩項(xiàng)半導(dǎo)體材料科技成果獲評(píng)國(guó)際領(lǐng)先
作者： 發(fā)布時(shí)間：2026年05月21日 瀏覽次數(shù)：
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　　近日，中硅高科牽頭完成的兩項(xiàng)半導(dǎo)體材料技術(shù)通過(guò)院士專家組評(píng)審，整體達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

　　其中，“寬禁帶半導(dǎo)體用超高純碳化硅材料制備關(guān)鍵技術(shù)”首創(chuàng)氣相法工藝，建成國(guó)內(nèi)首條年產(chǎn)300噸生產(chǎn)線，整體達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。“集成電路用電子級(jí)六氯乙硅烷制備關(guān)鍵技術(shù)”整體達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，顆粒度控制達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。這標(biāo)志著我國(guó)第三代半導(dǎo)體及高純電子特氣領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化實(shí)現(xiàn)重大突破。

 

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